Uvod u proizvode
SiC supstrati tipa P- dizajnirani su za homoepitaksijalni rast i razvoj ultra{1}}visoko-naponskih poluvodičkih uređaja. S izvrsnim električnim i toplinskim karakteristikama, ova visoka-učinakSiC supstratprikladan je za zahtjevne aplikacije visoke{0}}energetike, uključujući prijenos energije ultra-visokog{2}}napona i infrastrukturu pametne mreže.
Ove vrste P-SiC pločicetakođer podržavaju aplikacije u željezničkom prijevozu, industrijskim energetskim sustavima i drugoj visoko{0}}električnoj opremi gdje se zahtijeva visok-napon, pouzdanost i učinkovita pretvorba energije.
Tehnički podaci
| 6 inča | |
|---|---|
| Promjer | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm |
| Površinska orijentacija | 4 stupnja prema<1120>±0,5 stupnjeva |
| Primarna ravna duljina | 47,5 mm±1,5 mm |
| Primarna ravna orijentacija | <1120>±5,0 stupnjeva |
| Orijentacija usjeka | / |
| Kut zareza | / |
| Dubina zareza | / |
| Debljina | 350,0 um±25,0 um |
| Politip | 4H |
| Tip | p-vrsta |
| 8 inča | |
|---|---|
| Promjer | 200,0 mm +0 mm/-0,2 mm |
| Površinska orijentacija | 4 stupnja prema<1120>±0,5 stupnjeva |
| Primarna ravna duljina | Usjek |
| Primarna ravna orijentacija | / |
| Orijentacija usjeka | <1100>±1,0 stupanj |
| Kut zareza | 90 stupnjeva +5 stupnjeva /-1 stupanj |
| Dubina zareza | 1,0 mm +0.25 mm/-0 mm |
| Debljina | 350,0 um±25,0 um |
| Politip | 4H |
| Tip | p-vrsta |
| 12-inčni | |
|---|---|
| Promjer | 300,0 mm±0,5 mm |
| Površinska orijentacija | 4 stupnja prema<1120>±0,5 stupnjeva |
| Primarna ravna duljina | Usjek |
| Primarna ravna orijentacija | / |
| Orijentacija usjeka | <1100>±5,0 stupnjeva |
| Kut zareza | 90 stupnjeva +5 stupnjeva /-1 stupanj |
| Dubina zareza | 1,0 mm +0.25 mm/-0 mm |
| Debljina | 750,0 um±25,0 um |
| Politip | 4H |
| Tip | p-vrsta |
Potvrda
Popularni tagovi: 4H P-Type SiC pločica, Kina, dobavljači, proizvođači, tvornica, proizvedeno u Kini
