Uvod u proizvode
Polu-izolacijski SiC supstrati nude visoku otpornost i izvrsna toplinska svojstva, što ih čini prikladnima za GaN heteroepitaksijalni rast i primjene visoko-frekventnih RF poluvodiča. Kao visoka-učinakSiC supstrat, naširoko se koristi za uređaje temeljene na HEMT-u naprednim komunikacijskim sustavima, uključujući 5G infrastrukturu.
Ovi polu{0}}izolacijskiSiC pločicetakođer pružaju izvrsna optička svojstva i svojstva materijala, podržavajući nove aplikacije u optoelektronici i nosivoj elektronici. 12-inčni SiC supstrati nude potencijal za sljedeće-generacije aplikacija kao što su AR naočale i drugi napredni optički uređaji.
Tehnički podaci
| 6 inča | |
|---|---|
| Promjer | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm |
| Površinska orijentacija | {0001}±0,2 stupnja |
| Primarna ravna orijentacija | / |
| Sekundarni stan Orijentacija | / |
| Primarna ravna duljina | Usjek |
| Sekundarna ravna dužina | Nijedan |
| Orijentacija usjeka | <1100>±1,0 stupanj |
| Dubina zareza | Ništa1mm+0.25mm/-0mm od ruba |
| Kut zareza | 90 stupnjeva +5 stupnjeva /-1 stupanj |
| Debljina | 500,0 um±25,0 um |
| Tip | Polu{0}}izolacijski |
| 8 inča | |
|---|---|
| Promjer | 200,0 mm +0 mm/-0,5 mm |
| Površinska orijentacija | {0001}±0,2 stupnja |
| Primarna ravna orijentacija | / |
| Sekundarni stan Orijentacija | / |
| Primarna ravna duljina | Usjek |
| Sekundarna ravna dužina | Nijedan |
| Orijentacija usjeka | <1100>±1,0 stupanj |
| Dubina zareza | Ništa1mm+0.25mm/-0mm od ruba |
| Kut zareza | 90 stupnjeva +5 stupnjeva /-1 stupanj |
| Debljina | 500,0 um±25,0 um |
| Tip | Polu{0}}izolacijski |
| 12-inčni | |
|---|---|
| Promjer | 300,0 mm +0 mm/-0,5 mm |
| Površinska orijentacija | {0001}±0,5 stupnjeva |
| Primarna ravna orijentacija | / |
| Sekundarni stan Orijentacija | / |
| Primarna ravna duljina | Usjek |
| Sekundarna ravna dužina | Nijedan |
| Orijentacija usjeka | <1100>±5,0 stupnjeva |
| Dubina zareza | Ništa1mm+0.25mm/-0mm od ruba |
| Kut zareza | 90 stupnjeva +5 stupnjeva /-1 stupanj |
| Debljina | 750,0 um±25,0 um |
| Tip | Polu{0}}izolacijski |
Potvrda
Popularni tagovi: 4H polu-izolacijska SiC pločica, Kina, dobavljači, proizvođači, tvornica, proizvedeno u Kini
